Fertigung auf allen gängigen SAW- oder Halbleitersubstraten (Quarz, LiNbO3, LiTaO3, Langasit, Silizium) in den Wafergrößen 3", 4" oder 6"

Prozessierung der Strukturgrößen bis 0,3µm mit hoher Genauigkeit und Ausbeute

Herstellung funktionaler Schichten mit einer Präzision von bis zu +/-10 nm mit Dicken von 50nm bis 1500nm mit allen Standard-Elektrodenmaterialien (Al, Cu, Au, Ni, Pt, Ir, Zr, Pd, Ti, Cr) oder deren Kombination

Anwendung unterschiedlicher Technologien:

  • Lift-Off-, Nassätz- oder Trockenätzprozess
  • I-Line-Stepper, G-Line-Stepper
  • 1-Ebenen- oder Mehr-Ebenen-Prozess

Spezielle Schichtsysteme für:

  • Hochtemperaturanwendungen
  • hohe Leistungsverträglichkeit

Digitalisierung und Bearbeitung Ihrer Maskendaten in den Formaten .gds, .cif, .dwg, .dxf

Überwachung und Kontrolle der Prozesse und der kritischen Parameter mit vielfältigen Messgeräten:

  • RFA zur Schichtdickenmessung
  • Tastschnitt-Messgerät zur Schichtdickenmessung an strukturierten Wafern
  • AFM zur Oberflächen- und Kantenbeurteilung
  • Optische Strukturbreitenmesstechnik (i-line) bis 0,3µm
  • Automatischer Waferprober mit NWA und HF-Probes
  • Widerstandsmessung
  • Ellipsometer zur Beurteilung halbtransparenter Schichten

Elektrische Prüfung der Wafer nach vereinbarten Toleranzen und Mindestaus- beuten (Stichproben oder 100% Messung)

  • HF Messung
  • s-Parametermessung

Waferkapazität bis zu 20.000 Wafer/Monat abhängig von der Technologie und Komplexität der Produkte

Auftragsbearbeitung innerhalb weniger Tage bei eingefahrenen Prozessen